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  • 型号：PHD66NQ03LT
  • 厂家：NXP/PHILIPS
  • 批号：05+
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：PHD66NQ03L
  • 封装：SOT-428/TO-252/D-PAK
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage25V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage25V
最大漏极电流Id Drain Current66A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage
耗散功率Pd Power Dissipation93W
Description & ApplicationsTrenchMOS™ Logic Level FET N-channel logic level field-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOS™ technology. Low on-state resistance Fast switching.
描述与应用TrenchMOS™逻辑电平FET N沟道逻辑电平场效应功率晶体管在一个塑料包装使用 的TrenchMOS™技术。 低通态电阻 快速切换
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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PHD66NQ03LT
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