PHT4NQ10T N沟道MOSFET 100V 3.5A SOT-223/SC-73/TO261-4 marking/标记 4NQ10T 低导通电阻/DMOS技术/|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

PHT4NQ10T N沟道MOSFET 100V 3.5A SOT-223/SC-73/TO261-4 marking/标记 4NQ10T 低导通电阻/DMOS技术/

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商品参数：

型号：PHT4NQ10T
厂家：NXP/PHILIPS
批号：01+
整包数量：4000
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：4NQ10T
封装：SOT-223/SC-73/TO261-4
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最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage	100V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage	20V
最大漏极电流Id Drain Current	3.5A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage
耗散功率Pd Power Dissipation	6.9W
Description & Applications	N-channel enhancement mode ﬁeld-effect transistor N-channel enhancement mode ﬁeld-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS™1 technology. TrenchMOS™ technology Very fast switching Surface mount package.
描述与应用	N沟道增强型场效应晶体管 N沟道增强型场效应晶体管在一个塑料包装用的TrenchMOS™1技术。开关速度非常快表面贴装封装

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
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