PHT4NQ10T N沟道MOSFET 100V 3.5A SOT-223/SC-73/TO261-4 marking/标记 4NQ10T 低导通电阻/DMOS技术/|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

PHT4NQ10T N沟道MOSFET 100V 3.5A SOT-223/SC-73/TO261-4 marking/标记 4NQ10T 低导通电阻/DMOS技术/

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型号：PHT4NQ10T
厂家：NXP/PHILIPS
批号：01+
整包数量：4000
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：4NQ10T
封装：SOT-223/SC-73/TO261-4
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最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage	100V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage	20V
最大漏极电流Id Drain Current	3.5A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage
耗散功率Pd Power Dissipation	6.9W
Description & Applications	N-channel enhancement mode ﬁeld-effect transistor N-channel enhancement mode ﬁeld-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS™1 technology. TrenchMOS™ technology Very fast switching Surface mount package.
描述与应用	N沟道增强型场效应晶体管 N沟道增强型场效应晶体管在一个塑料包装用的TrenchMOS™1技术。开关速度非常快表面贴装封装

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
BAS20-7 开关二极管 106V 200mA/0.2A SOT-23/SC-59 marking/标记 KT2 高电导率/高速开关	BAS20-7 标记：KT2 封装：SOT-23/SC-59	DIODES	批号：03+ 03+	3000 10起订
KV1405TL 变容二极管 17V 148.00pF 2.8 SOT-23/SC-59 marking/标记 F05 调谐/出色线性度	KV1405TL 标记：F05 封装：SOT-23/SC-59	TOKO	批号：05+	1000 10起订
小功率电感 LK2125270K 27UH 0805-270K	LK2125270K 标记：封装：0805-270K	TAIYO	批号：05+	3710 10起订
HZM9.1NB1TR 稳压二极管 200mW/0.2W SOT23-9.1V marking/标记 B1 911	HZM9.1NB1TR 标记：B1 911 封装：SOT23-9.1V	HITACHI	批号：05+ 05+	18000 10起订
可控硅/晶闸管浪涌吸收器 KL3N14 SMA/DO-214AC marking/标记 14	KL3N14 标记：14 封装：SMA/DO-214AC	shindengen	批号：05+ROHS 05+NOPB690	828 10起订
微调电位器 POT0101A-1-502-TG 5KΩ/Ohm 4X4-5K	POT0101A-1-502-TG 标记：封装：4X4-5K	MURATA	批号：04+	500 10起订
小功率电感 LEM2520TR12J 120nH/0.12UH 2520-R12J R12	LEM2520TR12J 标记：R12 封装：2520-R12J	TAIYO	批号：05+ 05+	14800 10起订
2SK2552B N沟道结型场效应管 20v 0.21~0.35mA SOT-523 marking/标记 CH radio 和电话	2SK2552 标记：J4 封装：SOT-523/SC-75/USM	NEC	批号：05+NOPB 05+NOPB	0 10起订

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商品：: PHT4NQ10T

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