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  • 型号：BST120
  • 厂家：NXP/PHILIPS
  • 批号：05+
  • 整包数量：1000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：LM
  • 封装：SOT-89/SC-62
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-60V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流IdDrain Current-0.3A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance6Ω @-200mA,-10V
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage-1.5--3.5V
耗散功率PdPower Dissipation1W
Description & ApplicationsP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL D-MOS TRANSISTOR very low Ron direct interface to C-MOS high-speed switching no second breakdown
描述与应用P-沟道增强型垂直D-MOS晶体管 非常低罗恩 C-MOS直接接口 高速开关 无二次击穿
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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BST120
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