| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 20V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 12V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 100mA/0.1A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 500MHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 40~120 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | 400mV/0.4V |
| 耗散功率PcPower Dissipation | 250mW/0.25W |
| Description & Applications | NPN switching transistor FEATURES Low current (max. 100 mA) Low voltage (max. 12 V). APPLICATIONS High speed saturated switching applications, especially in portable equipment. |
| 描述与应用 | NPN开关晶体管 特点 低电流（最大100 mA） 低电压（最大12 V）。 应用 饱和高速开关应用中，特别是在便携式设备。 |