| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | −350V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | −300V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | −200mA/-0.2A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 15MHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 30~120 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage | -750mV/-0.75V |
| 耗散功率PcPoWer Dissipation | 1.3W |
| Description & Applications | PNP high-voltage transistors FEATURES • Low current (max. 200 mA) • High voltage (max. 300 V). APPLICATIONS • General purpose switching and amplification. |
| 描述与应用 | PNP高压晶体管 特点 •低电流（最大200毫安） •高电压（最大300 V）。 应用 •通用开关和放大。 |