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  • 型号：BSN20
  • 厂家：NXP/PHILIPS
  • 批号：07NOPB 07NOPB
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：M8
  • 封装：SOT-23/SC-59
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage50V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current173mA/0.173A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage
耗散功率Pd Power Dissipation830mW/0.83W
Description & ApplicationsN-channel enhancement mode field-effect transistor Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS™1 technology. Product availability: TrenchMOS™ technology Very fast switching Logic level compatible Subminiature surface mount package
描述与应用N沟道增强型场效应晶体管 描述 N沟道增强型场效应晶体管在一个塑料包装用 的TrenchMOS™1技术。产品可用性： 开关速度非常快 逻辑电平兼容 超小型表面贴装封装 门源的ESD
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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BSN20
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