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  • 型号：BSP100
  • 厂家：NXP/PHILIPS
  • 批号：05+
  • 整包数量：1000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：
  • 封装：SOT-223/SC-73/TO261-4
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current6A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.1Ω/Ohm @2.2A,10v
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage1-2.8V
耗散功率Pd Power Dissipation8.3W
Description & ApplicationsN-channel enhancement mode BSP100 TrenchMOS transistor • Trench’ technology VDSS = 30 V • Low on-state resistance • Fast switching ID = 6 A • High thermal cycling performance • Low thermal resistance
描述与应用N沟道增强模式BSP100的TrenchMOS晶体管 •'战壕'技术VDSS= 30 V •低通态电阻 •快速切换ID=6 •高的热循环性能 •低热阻
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品：
BSP100
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