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  • 型号：2SK1109
  • 厂家：NEC
  • 批号：05+ 05+
  • 整包数量：0
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：J36
  • 封装：SC59
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最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage20v
栅源极击穿电压V(BR)GSGate-Source Voltage -20v
漏极电流(Vgs=0V)IDSSDrain Current0.2~0.45ma
关断电压Vgs(off)Gate-Source Cut-off Voltage -0.1~1v
耗散功率PdPower Dissipation80mw
Description & Applications•N-CHANNEL SILICON JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR •Compact package • High forward transfer admittance 1000 µS TYP. (IDSS = 100 µA) 1600 µS TYP. (IDSS = 200 µA) • Includes diode and high resistance at G - S
描述与应用•N沟道硅结型场效应晶体管 •小型封装 •高正向转移导纳 1000μs典型值。 （IDSS= 100μA） 1600μs典型值。 （IDSS= 200μA） •包括二极管和高阻力在G ​​- S
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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2SK1109
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