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  • 型号：2SK1112
  • 厂家：TOSHIBA
  • 批号：05+ 05+
  • 整包数量：2000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：K1112
  • 封装：TO-252/D-PAK
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current500mA/0.5A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.12Ω/Ohm @2.5A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage0.8-2V
耗散功率Pd Power Dissipation20W
Description & ApplicationsFeatures Field Effect transistor Silicon N Channel MOS Type High speed,High Current DC-DC Converter Relay Drive and Motor Drive Applications
描述与应用特性 场效应晶体管 硅N沟道MOS型 高速，高电流DC-DC转换器 继电器驱动器和电机驱动应用
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品：
2SK1112
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