2SK1273 N沟道MOSFET 60V 2A SOT-89 marking/标记 NA 低导通状态创制|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

2SK1273 N沟道MOSFET 60V 2A SOT-89 marking/标记 NA 低导通状态创制

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型号：2SK1273
厂家：NEC
批号：4r07/09nopb 05+
整包数量：1000
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：NA
封装：SOT-89/SC-62
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最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage	60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage	20V
最大漏极电流Id Drain Current	2A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance	0.24Ω/Ohm @500mA.10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage	1-2.5V
耗散功率Pd Power Dissipation	2W
Description & Applications	N-Channel MOS FET FOR HIGH SPEED SWITCHING Directly driven by ICs having a 5V power source Has low on-state resisitance Not necessary to consider driving current because of its high input impedance Possible to reduce the number of parts by omitting the bias resistor
描述与应用	N沟道MOS FET用于高速开关直接带动有5V电源IC 具有低导通状态创制不必考虑驱动电流，因为它的高输入阻抗能够减少部件的数量通过省略偏置电阻

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
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