2SK1079 N沟道MOSFET 100V 600mA/0.6A SOT-89/PW-Mini marking/标记 Z4|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

2SK1079 N沟道MOSFET 100V 600mA/0.6A SOT-89/PW-Mini marking/标记 Z4

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型号：2SK1079
厂家：TOSHIBA
批号：10+ROHS 05+
整包数量：1000
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：Z4
封装：SOT-89/PW-Mini
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最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage	100V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage	20V
最大漏极电流Id Drain Current	600mA/0.6A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance	0.95Ω/Ohm @300mA,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage	0.8-2V
耗散功率Pd Power Dissipation	500mW/0.5W
Description & Applications	Features Field Effect transistor Silicon N Channel MOS Type High speed,High Current DC-DC Converter Relay Drive and Motor Drive Applications
描述与应用	特性场效应晶体管硅N沟道MOS型高速，高电流DC-DC转换器继电器驱动器和电机驱动应用

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
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