| 商品图片 | 商品描述 | 型号 | 厂牌 | 库存数量 | 操作 |
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1ED3323MC12NXUMA1 MOSFET；IGBT 1 8.5A 6A |
1ED3323MC12NXUMA1
标记： 封装：SOIC-16 |
Infineon(英飞凌) | 6 | 立即订购 |
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IMP3201ESA/T 半桥 MOSFET；IGBT 10V~20V 100ns |
IMP3201ESA/T
标记： 封装：SOP-8 |
IMP(日银IMP微电子) | 6 | 立即订购 |
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DGD0503FN-7 半桥 MOSFET；IGBT 2 600mA |
DGD0503FN-7
标记： 封装：WDFN3030-10 |
DIODES(美台) | 6 | 立即订购 |
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LTC4421IG#PBF MOSFET 2 3V~36V 欠压保护；过流保护；过压保护 |
LTC4421IG#PBF
标记： 封装：SSOP-36-5.6mm |
ADI(亚德诺) | 6 | 立即订购 |
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LTC7060JMSE#PBF 半桥 MOSFET 2 6V~14V |
LTC7060JMSE#PBF
标记： 封装：MSOP-12-EP-0.65mm |
ADI(亚德诺) | 6 | 立即订购 |
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LT1161CSW#TRPBF 高边 MOSFET 4 8V~48V |
LT1161CSW#TRPBF
标记： 封装：SO-24-300mil |
ADI(亚德诺) | 6 | 立即订购 |
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TB67H420FTG,EL 4.75V~5.25V 9A 并行 是 |
TB67H420FTG,EL
标记： 封装：QFN-48-EP(7x7) |
TOSHIBA(东芝) | 6 | 立即订购 |
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L6227PD 730mΩ -40℃~+150℃ |
L6227PD
标记： 封装：PowerSO-36 |
ST(意法半导体) | 6 | 立即订购 |
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IK6502N -30℃~+75℃ |
IK6502N
标记： 封装：DIP-16 |
IKSEMICON | 6 | 立即订购 |
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DRV8884PWPR 16 STEP/DIR 1.4Ω -40℃~+125℃ |
DRV8884PWPR
标记： 封装：HTSSOP-24-EP |
TI(德州仪器) | 6 | 立即订购 |
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DRV8860APWR 8V~38V 560mA 串行 是 |
DRV8860APWR
标记： 封装：TSSOP-16 |
TI(德州仪器) | 6 | 立即订购 |
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DRV8434SPWPR |
DRV8434SPWPR
标记： 封装：HTSSOP-28 |
TI(德州仪器) | 6 | 立即订购 |
