| 商品图片 | 商品描述 | 型号 | 厂牌 | 库存数量 | 操作 |
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MT46V64M8P-5B:J TR SDRAM DDR 2.5V~2.7V 5mA -40℃~+85℃ |
MT46V64M8P-5B:J TR
标记： 封装：TSOP-66-10.2mm |
micron(镁光) | 10000 | 立即订购 |
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MT41K128M16JT-107:K |
MT41K128M16JT-107:K
标记： 封装：FBGA-96(8x14) |
micron(镁光) | 10000 | 立即订购 |
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W631GG6LB-12 SDRAM DDR3 800MHz 1Gbit 1.425V~1.575V |
W631GG6LB-12
标记： 封装：WBGA-96 |
WINBOND(华邦) | 10000 | 立即订购 |
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W631GU6NB-11 SDRAM DDR3L 933MHz 1Gbit 1.283V~1.45V |
W631GU6NB-11
标记： 封装：VFBGA-96 |
WINBOND(华邦) | 10000 | 立即订购 |
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IS43DR16320C-25DBLI SDRAM DDR2 1.7V~1.9V 345mA 3mA |
IS43DR16320C-25DBLI
标记： 封装：BGA-84 |
ISSI(美国芯成) | 10000 | 立即订购 |
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IS43LR16160G-6BLI 166MHz 256Mbit 1.7V~1.95V -40℃~+85℃ |
IS43LR16160G-6BLI
标记： 封装：BGA-60 |
ISSI(美国芯成) | 10000 | 立即订购 |
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IS43R32400E-5BL |
IS43R32400E-5BL
标记： 封装：FBGA-144 |
ISSI(美国芯成) | 10000 | 立即订购 |
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IS43DR16160B-25DBLI |
IS43DR16160B-25DBLI
标记： 封装：TWBGA-84(8x12.5) |
ISSI(美国芯成) | 10000 | 立即订购 |
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IS43DR16640C-3DBLI SDRAM DDR2 400MHz 1.7V~1.9V 90mA |
IS43DR16640C-3DBLI
标记： 封装：TWBGA-84(8x12.5) |
ISSI(美国芯成) | 10000 | 立即订购 |
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IS43LR16800G-6BLI |
IS43LR16800G-6BLI
标记： 封装：TFBGA-60(8x10) |
ISSI(美国芯成) | 10000 | 立即订购 |
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K4A4G165WF-BCWE |
K4A4G165WF-BCWE
标记： 封装：FBGA-96 |
SAMSUNG(三星半导体) | 10000 | 立即订购 |
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H5AN8G6NAFR-VKC SDRAM DDR4 1.14V~1.26V 0℃~+85℃ |
H5AN8G6NAFR-VKC
标记： 封装：FBGA-96 |
HYNIX(海力士) | 10000 | 立即订购 |
