| 商品图片 | 商品描述 | 型号 | 厂牌 | 库存数量 | 操作 |
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MT40A1G16KD-062E:E |
MT40A1G16KD-062E:E
标记： 封装：FBGA-96 |
micron(镁光) | 10000 | 立即订购 |
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MT40A512M16JY-083E:B |
MT40A512M16JY-083E:B
标记： 封装：FBGA-96 |
micron(镁光) | 10000 | 立即订购 |
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MT40A512M8RH-083E:B |
MT40A512M8RH-083E:B
标记： 封装：FBGA-78 |
micron(镁光) | 10000 | 立即订购 |
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H5TQ4G63CFR-RDC SDRAM DDR3 1.425V~1.575V -40℃~+95℃ |
H5TQ4G63CFR-RDC
标记： 封装：FBGA-96 |
HYNIX(海力士) | 10000 | 立即订购 |
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W9751G6KB-25 |
W9751G6KB-25
标记： 封装：WBGA-84(8x12.5) |
WINBOND(华邦) | 10000 | 立即订购 |
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K4UBE3D4AA-MGCL SDRAM LPDDR4X 2.133GHz 32Gbit 1.7V~1.95V |
K4UBE3D4AA-MGCL
标记： 封装：FBGA-200 |
SAMSUNG(三星半导体) | 10000 | 立即订购 |
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MT40A512M16TB-062E IT:R |
MT40A512M16TB-062E IT:R
标记： 封装：FBGA-96(7.5x13) |
micron(镁光) | 10000 | 立即订购 |
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K4B4G1646E-BYK0 SDRAM DDR3L 1.28V~1.575V 35mA -40℃~+95℃ |
K4B4G1646E-BYK0
标记： 封装：FBGA-96 |
SAMSUNG(三星半导体) | 10000 | 立即订购 |
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MT53D1024M32D4DT-046 WT:D |
MT53D1024M32D4DT-046 WT:D
标记： 封装：VFBGA-200 |
micron(镁光) | 10000 | 立即订购 |
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MT41K2G4RKB-107:P SDRAM DDR3L 1.283V~1.45V 85mA -40℃~+95℃ |
MT41K2G4RKB-107:P
标记： 封装：FBGA-78 |
micron(镁光) | 10000 | 立即订购 |
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MT53D512M32D2DS-053 AIT:D |
MT53D512M32D2DS-053 AIT:D
标记： 封装：WFBGA-200 |
micron(镁光) | 10000 | 立即订购 |
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MT53E256M32D2DS-046 AIT:B TR |
MT53E256M32D2DS-046 AIT:B TR
标记： 封装：WFBGA-200 |
micron(镁光) | 10000 | 立即订购 |
