| 商品描述 |
供应商型号 |
厂牌 |
说明 |
库存 |
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ZXMN6A08K-HXY 1个N沟道 60V 20A 32mΩ@10V
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ZXMN6A08K-HXY
标记：
封装：TO-252-2L
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HXY MOSFET(华轩阳电子) |
批号：
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85
起订 |
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IPD40DP06NMATMA1-HXY 1个P沟道 60V 10A 140mΩ@10V
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IPD40DP06NMATMA1-HXY
标记：
封装：TO-252-2L
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HXY MOSFET(华轩阳电子) |
批号：
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85
起订 |
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CMT6050P 60V 50A 21mΩ@4.5V 62W
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CMT6050P
标记：
封装：TO-220
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iCM(创芯微) |
批号：
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85
起订 |
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IPD60R280P7S 1个N沟道 650V 280mΩ@10V
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IPD60R280P7S
标记：
封装：TO-252-3
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Infineon(英飞凌) |
批号：
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85
起订 |
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IPD50R2K0CEAUMA1 1个N沟道 500V 3.6A 2Ω@13V
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IPD50R2K0CEAUMA1
标记：
封装：TO-252-3
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Infineon(英飞凌) |
批号：
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85
起订 |
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IPD60R280P7S 1个N沟道 650V 280mΩ@10V
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IPD60R280P7S
标记：
封装：TO-252-3
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Infineon(英飞凌) |
批号：
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85
起订 |
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IPD50R2K0CEAUMA1 1个N沟道 500V 3.6A 2Ω@13V
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IPD50R2K0CEAUMA1
标记：
封装：TO-252-3
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Infineon(英飞凌) |
批号：
|
85
起订 |
