| 商品描述 |
供应商型号 |
厂牌 |
说明 |
库存 |
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IRFR3710ZTRLPBF-HXY 100V 60A 17mΩ@10V 67.5W
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IRFR3710ZTRLPBF-HXY
标记: 封装:TO-252-2L
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HXY MOSFET(华轩阳电子) |
批号:
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79 起订 |
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HPHB32N06LT118 1个N沟道 60V 30A 26mΩ@10V
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HPHB32N06LT118
标记: 封装:TO-252-2L
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HXY MOSFET(华轩阳电子) |
批号:
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79 起订 |
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NP36P06SLG-E1-AY-HXY 60V 30A 46mΩ@4.5V 79W
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NP36P06SLG-E1-AY-HXY
标记: 封装:TO-252-2L
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HXY MOSFET(华轩阳电子) |
批号:
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79 起订 |
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STD25N10F7-HXY 1个N沟道 100V 30A 48mΩ@10V
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STD25N10F7-HXY
标记: 封装:TO-252-2L
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HXY MOSFET(华轩阳电子) |
批号:
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79 起订 |
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BSP295H6327 1个N沟道 60V 1.8A 300mΩ@10V
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BSP295H6327
标记: 封装:SOT-223-4
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Infineon(英飞凌) |
批号:
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79 起订 |
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IRFU3910PBF 1个N沟道 100V 16A 115mΩ@10V
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IRFU3910PBF
标记: 封装:TO-251(IPAK)
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Infineon(英飞凌) |
批号:
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79 起订 |
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FQD12N20TM-JSM 1个N沟道 200V 9A 300mΩ@10V
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FQD12N20TM-JSM
标记: 封装:TO-252
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JSMSEMI(杰盛微) |
批号:
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79 起订 |