NTB25P06T4G-JSM 1个P沟道 60V 35A 55mΩ@10V|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

免费注册|请登录

简体|繁体|English|网站地图

当前位置：首页 > 现货库存 > 商品详情

NTB25P06T4G-JSM 1个P沟道 60V 35A 55mΩ@10V

型号：NTB25P06T4G-JSM
标记/丝印/代码/打字：
厂家：JSMSEMI(杰盛微)
批号：
封装：TO-263-2L
整包数量：
最小起批量：1
技术文档：

热销商品

产品描述

相关型号列表

商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
TC6320TG-G 1个N沟道+1个P沟道 200V 2A 8Ω@10V	TC6320TG-G 标记：封装：SOIC-8	MICROCHIP(美国微芯)	批号：	73 起订
MPF12N80 1个N沟道 800V 12A 900mΩ@10V	MPF12N80 标记：封装：TO-220F	MP(美禄科技)	批号：	73 起订
HUF75652G3 1个N沟道 100V 75A 8mΩ@10V	HUF75652G3 标记：封装：TO-247-3	onsemi(安森美)	批号：	73 起订
QH8JA1TCR 20V 5A 48mΩ@2.5V	QH8JA1TCR 标记：封装：TSMT8	ROHM(罗姆)	批号：	73 起订
TK100E10N1,S1X(S 1个N沟道 100V 207A 3.4mΩ@10V	TK100E10N1,S1X(S 标记：封装：TO-220	TOSHIBA(东芝)	批号：	73 起订
VBA5311 1个N沟道+1个P沟道 30V 11A 28mΩ@4.5V	VBA5311 标记：封装：SO-8	VBsemi(微碧半导体)	批号：	73 起订
FDS6673BZ-VB 1个P沟道 30V 13.5A 2.7W	FDS6673BZ-VB 标记：封装：SO-8	VBsemi(微碧半导体)	批号：	73 起订

微信扫描关注我们

商城移动版

关于我们: 商城介绍
 联系我们
 营业执照

购物指南: 如何注册
 购买流程
 免责声明

配送方式: 上门自提
 运费说明
 物流追踪查询

支付方式: 支付宝
 银行转账
 货到付款

服务&售后: 原装正品
 技术支持
 退换货政策

备案/许可证号：粤ICP备14038557号 Copyright ©: 2017 爱瑞凯电子商城版权所有并保留所有权利

客服电话0755-88869068
工作时间:周一至周六 8:00~22:00