| 商品描述 |
供应商型号 |
厂牌 |
说明 |
库存 |
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G50N03J 1个N沟道 30V 65A 12mΩ@4.5V
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G50N03J
标记：
封装：TO-251
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GOFORD(谷峰) |
批号：
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6
起订 |
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GT035N10T 1个N沟道 100V 190A 2.85mΩ@10V
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GT035N10T
标记：
封装：TO-220
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GOFORD(谷峰) |
批号：
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6
起订 |
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HYG063N09NS1P 1个N沟道 90V 120A 5.5mΩ@10V
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HYG063N09NS1P
标记：
封装：TO-220FB-3L
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HUAYI(华羿微) |
批号：
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6
起订 |
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BSC0805LSATMA1-HXY 100V 75A 7.5mΩ@10V 97W
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BSC0805LSATMA1-HXY
标记：
封装：DFN-8L(5x6)
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HXY MOSFET(华轩阳电子) |
批号：
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6
起订 |
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IRF7103PBF-HXY 2个N沟道 60V 6.5A 48mΩ@4.5V
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IRF7103PBF-HXY
标记：
封装：SOP-8
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HXY MOSFET(华轩阳电子) |
批号：
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6
起订 |
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IRLML0060TRPBF 1个N沟道 60V 2.7A 116mΩ@4.5V
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IRLML0060TRPBF
标记：
封装：TO-236-3
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Infineon(英飞凌) |
批号：
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6
起订 |
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IRF6662TRPBF 1个N沟道 100V 8.3A 17.5mΩ@10V
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IRF6662TRPBF
标记：
封装：MG-WDSON-5
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Infineon(英飞凌) |
批号：
|
6
起订 |
