| 商品描述 |
供应商型号 |
厂牌 |
说明 |
库存 |
|
HSI4946CDYT1GE3 60V 6.5A 48mΩ@4.5V 2.1W
|
HSI4946CDYT1GE3
标记: 封装:SOP-8
|
HXY MOSFET(华轩阳电子) |
批号:
|
59 起订 |
|
7N65 1个N沟道 650V 7A 1.4Ω@10V
|
7N65
标记: 封装:TO-220F
|
HXY MOSFET(华轩阳电子) |
批号:
|
59 起订 |
|
IRLR3410TRPBF-HXY 1个N沟道 100V 15A 112mΩ
|
IRLR3410TRPBF-HXY
标记: 封装:TO-252-2L
|
HXY MOSFET(华轩阳电子) |
批号:
|
59 起订 |
|
AUIRLR3410 1个N沟道 100V 17A 105mΩ@10V
|
AUIRLR3410
标记: 封装:DPAK
|
Infineon(英飞凌) |
批号:
|
59 起订 |
|
IV2Q12030T4Z 1.2kV 79A 39mΩ@18V 395W
|
IV2Q12030T4Z
标记: 封装:TO-247-4
|
inventchip(瞻芯电子) |
批号:
|
59 起订 |
|
FQA55N25-JSM 1个N沟道 250V 60A 48mΩ@10V
|
FQA55N25-JSM
标记: 封装:TO-247
|
JSMSEMI(杰盛微) |
批号:
|
59 起订 |
|
FQA62N25C-JSM 1个N沟道 250V 60A 48mΩ@10V
|
FQA62N25C-JSM
标记: 封装:TO-247
|
JSMSEMI(杰盛微) |
批号:
|
59 起订 |