| 商品描述 |
供应商型号 |
厂牌 |
说明 |
库存 |
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TLC59116FIRHBR
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TLC59116FIRHBR
标记：
封装：VQFN-32-EP(5x5)
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TI(德州仪器) |
批号：
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440
起订 |
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AGM310MAP 1个N沟道+1个P沟道 30V 20A 17mΩ@4.5V
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AGM310MAP
标记：
封装：PDFN-8(3.3x3.3)
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AGM-Semi(芯控源) |
批号：
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440
起订 |
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CMD150N04A 1个N沟道 40V 120A 3mΩ@10V
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CMD150N04A
标记：
封装：TO-252
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Cmos(广东场效应半导体) |
批号：
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440
起订 |
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DMP10H400SEQ-13 1个P沟道 100V 300mΩ@4.5V
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DMP10H400SEQ-13
标记：
封装：SOT-223-3
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DIODES(美台) |
批号：
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440
起订 |
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HSK12N02 1个N沟道 20V 12A 12mΩ@4.5V
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HSK12N02
标记：
封装：SOT-89
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HUASHUO(华朔) |
批号：
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440
起订 |
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FDS4935BZ-HXY 2个P沟道 30V 11A 27mΩ@4.5V
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FDS4935BZ-HXY
标记：
封装：SOP-8
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HXY MOSFET(华轩阳电子) |
批号：
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440
起订 |
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BSS138PW 1个N沟道 55V 300mA 1.2Ω@10V
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BSS138PW
标记：
封装：SOT-323
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MSKSEMI(美森科) |
批号：
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440
起订 |
