| 商品描述 |
供应商型号 |
厂牌 |
说明 |
库存 |
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LQG15HS18NH02D 18nH ±3% 400mA 360mΩ
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LQG15HS18NH02D
标记：
封装：0402
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muRata(村田) |
批号：25+
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5940
起订 |
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DGD0503FN-7 半桥 MOSFET；IGBT 2 600mA
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DGD0503FN-7
标记：
封装：WDFN3030-10
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DIODES(美台) |
批号：25+
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6
起订 |
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IMP3201ESA/T 半桥 MOSFET；IGBT 10V~20V 100ns
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IMP3201ESA/T
标记：
封装：SOP-8
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IMP(日银IMP微电子) |
批号：25+
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6
起订 |
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1ED3323MC12NXUMA1 MOSFET；IGBT 1 8.5A 6A
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1ED3323MC12NXUMA1
标记：
封装：SOIC-16
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Infineon(英飞凌) |
批号：25+
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6
起订 |
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1EDN6550BXTSA1 低边；高边 MOSFET 2 8A
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1EDN6550BXTSA1
标记：
封装：SOT-23-6
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Infineon(英飞凌) |
批号：25+
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6
起订 |
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IR2010SPBF 半桥 IGBT；MOSFET 2 3A
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IR2010SPBF
标记：
封装：SOIC-16-300mil
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Infineon(英飞凌) |
批号：25+
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6
起订 |
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TC4427ACOA MOSFET 2 1.5A 1.5A
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TC4427ACOA
标记：
封装：SOIC-8
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MICROCHIP(美国微芯) |
批号：25+
|
6
起订 |
