| 商品描述 |
供应商型号 |
厂牌 |
说明 |
库存 |
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MT53E256M32D2DS-053 AIT:B
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MT53E256M32D2DS-053 AIT:B
标记：
封装：WFBGA-200
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micron(镁光) |
批号：25+
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10000
起订 |
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MT40A2G8VA-062E:B TR
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MT40A2G8VA-062E:B TR
标记：
封装：FBGA-78(10x11)
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micron(镁光) |
批号：25+
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10000
起订 |
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MT53E256M32D2DS-046 AIT:B TR
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MT53E256M32D2DS-046 AIT:B TR
标记：
封装：WFBGA-200
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micron(镁光) |
批号：25+
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10000
起订 |
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MT53D512M32D2DS-053 AIT:D
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MT53D512M32D2DS-053 AIT:D
标记：
封装：WFBGA-200
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micron(镁光) |
批号：25+
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10000
起订 |
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MT41K2G4RKB-107:P SDRAM DDR3L 1.283V~1.45V 85mA -40℃~+95℃
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MT41K2G4RKB-107:P
标记：
封装：FBGA-78
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micron(镁光) |
批号：25+
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10000
起订 |
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MT53D1024M32D4DT-046 WT:D
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MT53D1024M32D4DT-046 WT:D
标记：
封装：VFBGA-200
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micron(镁光) |
批号：25+
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10000
起订 |
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K4B4G1646E-BYK0 SDRAM DDR3L 1.28V~1.575V 35mA -40℃~+95℃
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K4B4G1646E-BYK0
标记：
封装：FBGA-96
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SAMSUNG(三星半导体) |
批号：25+
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10000
起订 |
