| 商品描述 |
供应商型号 |
厂牌 |
说明 |
库存 |
|
IS43LR32640A-6BL SDRAM DDR 166MHz 2Gbit 1.7V~1.95V
|
IS43LR32640A-6BL
标记：
封装：WBGA-90(8x13)
|
ISSI(美国芯成) |
批号：25+
|
10000
起订 |
|
K3QF6F60AM-FGCF
|
K3QF6F60AM-FGCF
标记：
封装：FBGA-256
|
SAMSUNG(三星半导体) |
批号：25+
|
10000
起订 |
|
IS43LR32640A-6BLI-TR SDRAM DDR 166MHz 2Gbit 1.7V~1.95V
|
IS43LR32640A-6BLI-TR
标记：
封装：WBGA-90(8x13)
|
ISSI(美国芯成) |
批号：25+
|
10000
起订 |
|
IS43DR16128C-3DBLI-TR
|
IS43DR16128C-3DBLI-TR
标记：
封装：TWBGA-84(8x12.5)
|
ISSI(美国芯成) |
批号：25+
|
10000
起订 |
|
IS46LR16320C-6BLA2
|
IS46LR16320C-6BLA2
标记：
封装：TFBGA-60(8x10)
|
ISSI(美国芯成) |
批号：25+
|
10000
起订 |
|
IS43LR32640A-5BLI SDRAM DDR 1.7V~1.95V 190mA -40℃~+85℃
|
IS43LR32640A-5BLI
标记：
封装：WBGA-90(8x13)
|
ISSI(美国芯成) |
批号：25+
|
10000
起订 |
|
IS43LR32640A-5BLI-TR SDRAM DDR 200MHz 2Gbit 1.7V~1.95V
|
IS43LR32640A-5BLI-TR
标记：
封装：WBGA-90(8x13)
|
ISSI(美国芯成) |
批号：25+
|
10000
起订 |
