IS43LR32800G-6BLI SDRAM DDR 1.7V~1.95V 70mA -40℃~+85℃|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

免费注册|请登录

简体|繁体|English|网站地图

当前位置：首页 > 现货库存 > 商品详情

IS43LR32800G-6BLI SDRAM DDR 1.7V~1.95V 70mA -40℃~+85℃

型号：IS43LR32800G-6BLI
标记/丝印/代码/打字：
厂家：ISSI(美国芯成)
批号：25+
封装：TFBGA-90(8x13)
整包数量：
最小起批量：1
技术文档：

热销商品

产品描述

相关型号列表

商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
IS43LD16640C-18BLI-TR SDRAM LPDDR2 533MHz 1.14V~1.3V -40℃~+85℃	IS43LD16640C-18BLI-TR 标记：封装：TFBGA-134(10x11.5)	ISSI(美国芯成)	批号：25+	10000 起订
IS43LD16128B-18BLI SDRAM LPDDR2 533MHz 1.7V~1.95V -40℃~+85℃	IS43LD16128B-18BLI 标记：封装：TFBGA-134(10x11.5)	ISSI(美国芯成)	批号：25+	10000 起订
IS46TR16128CL-15HBLA1	IS46TR16128CL-15HBLA1 标记：封装：TWBGA-96(9x13)	ISSI(美国芯成)	批号：25+	10000 起订
IS43LR16640A-5BL-TR	IS43LR16640A-5BL-TR 标记：封装：TWBGA-60(8x10)	ISSI(美国芯成)	批号：25+	10000 起订
IS46TR16128C-125KBLA1	IS46TR16128C-125KBLA1 标记：封装：TWBGA-96(9x13)	ISSI(美国芯成)	批号：25+	10000 起订
IS43LR16640A-5BL	IS43LR16640A-5BL 标记：封装：TWBGA-60(8x10)	ISSI(美国芯成)	批号：25+	10000 起订
IS46TR16128CL-15HBLA1-TR	IS46TR16128CL-15HBLA1-TR 标记：封装：TWBGA-96(9x13)	ISSI(美国芯成)	批号：25+	10000 起订

微信扫描关注我们

商城移动版

关于我们: 商城介绍
 联系我们
 营业执照

购物指南: 如何注册
 购买流程
 免责声明

配送方式: 上门自提
 运费说明
 物流追踪查询

支付方式: 支付宝
 银行转账
 货到付款

服务&售后: 原装正品
 技术支持
 退换货政策

备案/许可证号：粤ICP备14038557号 Copyright ©: 2017 爱瑞凯电子商城版权所有并保留所有权利

客服电话0755-88869068
工作时间:周一至周六 8:00~22:00