| 商品描述 |
供应商型号 |
厂牌 |
说明 |
库存 |
|
MT46V32M16P-5B IT:J SDRAM DDR 2.5V~2.7V 155mA -40℃~+85℃
|
MT46V32M16P-5B IT:J
标记：
封装：TSOP-66
|
micron(镁光) |
批号：25+
|
10000
起订 |
|
H9HCNNNBKMMLHR-NME
|
H9HCNNNBKMMLHR-NME
标记：
封装：-
|
HYNIX(海力士) |
批号：25+
|
10000
起订 |
|
MT53E1G32D2FW-046 WT:B TR
|
MT53E1G32D2FW-046 WT:B TR
标记：
封装：TFBGA-200
|
micron(镁光) |
批号：25+
|
10000
起订 |
|
IS43TR16128DL-107MBLI
|
IS43TR16128DL-107MBLI
标记：
封装：TFBGA-96
|
ISSI(美国芯成) |
批号：25+
|
10000
起订 |
|
MT47H64M8SH-25E:H
|
MT47H64M8SH-25E:H
标记：
封装：FBGA-60
|
micron(镁光) |
批号：25+
|
10000
起订 |
|
H5AN8G6NAFR-VKC SDRAM DDR4 1.14V~1.26V 0℃~+85℃
|
H5AN8G6NAFR-VKC
标记：
封装：FBGA-96
|
HYNIX(海力士) |
批号：25+
|
10000
起订 |
|
K4A4G165WF-BCWE
|
K4A4G165WF-BCWE
标记：
封装：FBGA-96
|
SAMSUNG(三星半导体) |
批号：25+
|
10000
起订 |
