| 商品描述 |
供应商型号 |
厂牌 |
说明 |
库存 |
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AN44140A-VB 6V~26.4V 过流保护；过热保护；过压保护 -40℃~+95℃@(Ta)
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AN44140A-VB
标记：
封装：QFN-24-EP(4x4)
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PANASONIC(松下) |
批号：25+
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10000
起订 |
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BRD1260C-TL 半桥 MOSFET 115ns -20℃~+125℃
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BRD1260C-TL
标记：
封装：INSOP
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Power Integrations(帕沃英蒂格盛) |
批号：25+
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10000
起订 |
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BRD1267C-TL 半桥 3.3V~5V 过流保护；过热保护
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BRD1267C-TL
标记：
封装：INSOP-24C-9.4mm
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Power Integrations(帕沃英蒂格盛) |
批号：25+
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10000
起订 |
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LCS705HG 半桥 MOSFET 11.4V~15V -40℃~+125℃
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LCS705HG
标记：
封装：SIP-13
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Power Integrations(帕沃英蒂格盛) |
批号：25+
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10000
起订 |
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LCS708HG 半桥 MOSFET 11.4V~15V 过流保护；过热保护；短路保护；过压保护
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LCS708HG
标记：
封装：SIP-13
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Power Integrations(帕沃英蒂格盛) |
批号：25+
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10000
起订 |
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2SC0108T2F1-17 低边；高边 IGBT 2 8A
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2SC0108T2F1-17
标记：
封装：-
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Power Integrations(帕沃英蒂格盛) |
批号：25+
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10000
起订 |
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2SC0106T2A1-12 IGBT 2 6A 6A
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2SC0106T2A1-12
标记：
封装：-
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Power Integrations(帕沃英蒂格盛) |
批号：25+
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10000
起订 |
