| 商品描述 |
供应商型号 |
厂牌 |
说明 |
库存 |
|
NCP4413DR2
|
NCP4413DR2
标记: 封装:-
|
onsemi(安森美) |
批号:25+
|
10000 起订 |
|
FAN73611M 高边 IGBT;MOSFET 1 500mA
|
FAN73611M
标记: 封装:SOIC-8
|
onsemi(安森美) |
批号:25+
|
10000 起订 |
|
NCP4429DR2 MOSFET 6A 4.5V~18V 25ns
|
NCP4429DR2
标记: 封装:-
|
onsemi(安森美) |
批号:25+
|
10000 起订 |
|
NCP4420DR2 MOSFET 6A 4.5V~18V 25ns
|
NCP4420DR2
标记: 封装:-
|
onsemi(安森美) |
批号:25+
|
10000 起订 |
|
NCP81158MNTXG 半桥 MOSFET 2 800mA
|
NCP81158MNTXG
标记: 封装:DFN-8-EP(3x3)
|
onsemi(安森美) |
批号:25+
|
10000 起订 |
|
NCP5109AMNTWG 半桥 MOSFET;IGBT 500mA 10V~20V
|
NCP5109AMNTWG
标记: 封装:DFN-10-EP(3x3)
|
onsemi(安森美) |
批号:25+
|
10000 起订 |
|
TND322VD-TL-E 半桥 4.5V~25V -40℃~+125℃
|
TND322VD-TL-E
标记: 封装:SOT-28FL
|
onsemi(安森美) |
批号:25+
|
10000 起订 |