| 商品描述 |
供应商型号 |
厂牌 |
说明 |
库存 |
|
IRS2336DJPBF 半桥 MOSFET；IGBT 6 350mA
|
IRS2336DJPBF
标记：
封装：PLCC-32(16.6x16.6)
|
Infineon(英飞凌) |
批号：25+
|
10000
起订 |
|
IRS26310DJTRPBF IGBT；MOSFET 6 350mA 200mA
|
IRS26310DJTRPBF
标记：
封装：PLCC-32(16.6x16.6)
|
Infineon(英飞凌) |
批号：25+
|
10000
起订 |
|
IRSM515-084DA2 半桥 MOSFET 13.5V~16.5V -40℃~+150℃@(Tj)
|
IRSM515-084DA2
标记：
封装：DIPA-23
|
Infineon(英飞凌) |
批号：25+
|
10000
起订 |
|
IRS2332JPBF 半桥 IGBT；MOSFET 6 420mA
|
IRS2332JPBF
标记：
封装：PLCC-32(16.6x16.6)
|
Infineon(英飞凌) |
批号：25+
|
10000
起订 |
|
IRS2330DJTRPBF 半桥 IGBT；MOSFET 6 420mA
|
IRS2330DJTRPBF
标记：
封装：PLCC-32(16.6x16.6)
|
Infineon(英飞凌) |
批号：25+
|
10000
起订 |
|
IR4426PBF 低边 IGBT；MOSFET 2 1.5A
|
IR4426PBF
标记：
封装：PDIP-8
|
Infineon(英飞凌) |
批号：25+
|
10000
起订 |
|
IRS2113SPBF
|
IRS2113SPBF
标记：
封装：SOIC-16-300mil
|
Infineon(英飞凌) |
批号：25+
|
10000
起订 |
