| 商品描述 |
供应商型号 |
厂牌 |
说明 |
库存 |
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IRS2330JPBF 半桥 IGBT；MOSFET 6 420mA
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IRS2330JPBF
标记：
封装：PLCC-32(16.6x16.6)
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Infineon(英飞凌) |
批号：25+
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10000
起订 |
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IRSM515-044DA 半桥 MOSFET 13.5V~16.5V -40℃~+150℃@(Tj)
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IRSM515-044DA
标记：
封装：DIP-23
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Infineon(英飞凌) |
批号：25+
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10000
起订 |
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IRS2330JTRPBF 半桥 IGBT；MOSFET 6 420mA
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IRS2330JTRPBF
标记：
封装：PLCC-32(16.6x16.6)
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Infineon(英飞凌) |
批号：25+
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10000
起订 |
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1EDC40I12AH IGBT 6.8A 7.5A 3.1V~17V
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1EDC40I12AH
标记：
封装：DSO-8
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Infineon(英飞凌) |
批号：25+
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10000
起订 |
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IRS2330DJPBF 半桥 IGBT；MOSFET 6 420mA
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IRS2330DJPBF
标记：
封装：PLCC-32(16.6x16.6)
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Infineon(英飞凌) |
批号：25+
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10000
起订 |
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IR21368SPBF 半桥 IGBT；MOSFET 6 350mA
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IR21368SPBF
标记：
封装：SOIC-28
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Infineon(英飞凌) |
批号：25+
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10000
起订 |
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IRSM515-084PA 半桥 MOSFET 13.5V~16.5V -40℃~+150℃@(Tj)
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IRSM515-084PA
标记：
封装：SOP-23
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Infineon(英飞凌) |
批号：25+
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10000
起订 |
