| 商品描述 |
供应商型号 |
厂牌 |
说明 |
库存 |
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IR2127PBF 低边；高边 IGBT；MOSFET 1 420mA
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IR2127PBF
标记：
封装：PDIP-8
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Infineon(英飞凌) |
批号：25+
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10000
起订 |
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1EDC30I12MH IGBT 6.2A 5.9A 3.1V~17V
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1EDC30I12MH
标记：
封装：DSO-8
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Infineon(英飞凌) |
批号：25+
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10000
起订 |
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TLE7182EMXUMA1 半桥 MOSFET 4 20mA
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TLE7182EMXUMA1
标记：
封装：SSOP-24-4-EP-150mil
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Infineon(英飞凌) |
批号：25+
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10000
起订 |
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IR21363STRPBF 半桥 IGBT；MOSFET 6 350mA
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IR21363STRPBF
标记：
封装：SOIC-28-300mil
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Infineon(英飞凌) |
批号：25+
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10000
起订 |
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IR2125SPBF 高边 IGBT；MOSFET 1 3.3A
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IR2125SPBF
标记：
封装：SOIC-16-300mil
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Infineon(英飞凌) |
批号：25+
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10000
起订 |
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IR2125PBF 高边 IGBT；MOSFET 1 3.3A
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IR2125PBF
标记：
封装：PDIP-8
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Infineon(英飞凌) |
批号：25+
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10000
起订 |
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IR2233JTRPBF 半桥 IGBT；MOSFET 6 420mA
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IR2233JTRPBF
标记：
封装：PLCC-32(16.6x16.6)
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Infineon(英飞凌) |
批号：25+
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10000
起订 |
