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HB6P0130FE 复合MOS管 双P沟道 30V 100mA SOT-563F 特价

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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage -30V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流IdDrain Current -100mA/-0.1A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance 12Ω@ VGS = -4V, ID = -10mA
开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage -1.1~-1.7V
耗散功率PdPower Dissipation 150mW/0.15W
Description & Applications Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type ●High Speed Switching Applications ●Analog Switch Applications ● Small package ● Low ON resistance : Ron = 12 Ω (max) (@VGS = −4 V) : Ron = 32 Ω (max) (@VGS = −2.5 V)
描述与应用 场效应晶体管硅P沟道MOS类型 ●高速开关应用 ●模拟开关应用 ●小型封装 ●低导通电阻RON =12Ω(最大)(@ VGS=-4 V)    RON=32Ω(最大)(@ VGS=-2.5 V)
规格书PDF
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