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TPCP8006 N沟道场效应管 20V 9.1A PS-8 代码 8006 低漏源极导通电阻 低漏电流

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产品描述
最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage
 20V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage
 ±12V
最大漏极电流Id
Drain Current
 9.1A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
 VGS = 2.5 V, ID = 4.5 A RDS=9.5~13.7mΩ
VGS = 4.5 V, ID = 4.5 A RDS=6.5~10mΩ
开启电压Vgs(th)
Gate-Source Threshold Voltage
 0.5~1.2v
耗散功率Pd
Power dissipation
 0.84w
描述与应用
Description & Applications
   东芝硅n沟道MOS场效应晶体管类型(U-MOS IV)
  笔记本电脑的应用
  便携式设备的应用程序
  低漏源极导通电阻:RDS(ON)= 6.5 mΩ(typ)。
  高向前转移导纳:| yfs | = 36s(typ)。
  低漏电流:IDSS = 10μA(max)(VDS = 20 V)
  增强模式:Vth = 0.5~1.2 V(VDS = 10 V,ID = 1 mA)
 
规格书PDF
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