2SC6076 三极管NPN 160V 3A 150MHZ HEF=100~450 TO252 代码 C6076
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 160V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 80V |
集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 3A |
截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 150MHZ |
直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 100~450 |
管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.3~0.5V |
耗散功率PcPower Dissipation | 10W |
Description & Applications | TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process). Power Amplifier Applications. Power Switching Applications. Low collector saturation voltage: VCE (sat) = 0.5 V (max)(IC = 1A). High-speed switching: tstg = 0.4 μs (typ). |
描述与应用 | TOSHIBA晶体管的硅NPN外延型(PCT工艺)。 功率放大器应用。 电源开关应用。 低集电极饱和电压VCE(星期六)=0.5 V(最大值)(IC=1A)。 高速开关:TSTG=0.4微秒(典型值)。 |
规格书PDF |