PUMB11 复合PNP带阻三极管 -50V -0.1A R1=R2=10KΩ 180MHZ SOT363 代码 B11
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) |
-50V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
-50V |
| 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) |
-100MA/-0.1A |
| 基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) | 10KΩ |
| 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) | 10KΩ |
| 基极与基极-发射极输入电阻比(R1/R2) Base-Emitter Input Resistance Ratio(R1/R2) |
1 |
| 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) |
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| 截止频率fT Transtion Frequency(fT) |
180MHZ |
| 耗散功率Pc Power Dissipation |
200MW/0.2W |
| 描述与应用 Description & Applications |
PNP / PNP型Resistor-Equipped晶体管(RET)表面贴装设备(SMD)塑料包。
* 100 mA输出电流能力
*减少组件数量
*内置的偏置电阻
*减少选择和成本
*简化了电路设计
*低电流周围的司机
*控制集成电路的输入
*取代通用晶体管在数字应用程序
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