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HN4C51J NPN+NPN 120V 0.1A 100MHZ HEF=200~700 SOT153 代码 33

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产品描述
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO)
 120V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO)
 120V
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC)
 0.1A
截止频率fT
Transtion Frequency(fT)
 100MHZ
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE)
 200~700
管压降VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
 0.3V
耗散功率Pc
Power Dissipation
 0.3W
描述与应用
Description & Applications
 特点•东芝晶体管的硅NPN外延式(PCT的进程)•高电压:VCEO=120V•高HFE:HFE=200〜700•优异的线性度:(IC=0.1毫安)/ HFE(IC=2毫安)=0.95(典型值)•低噪音:NF=1分贝(典型值)•音频通用放大器应用
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