RQ1E070RP P 沟道场效应管 -30V -7A TSMT8 代码 UE 较低的导通电阻 4 v驱动。
| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage |
-30V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage |
±20V |
| 最大漏极电流Id Drain Current |
-7A |
| 源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State |
ID=3.5A, VGS=4.0V RDS=19~27mΩ |
| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage |
-1~-2.5v |
| 耗散功率Pd Power dissipation |
1.5w |
| 描述与应用 Description & Applications |
1)较低的导通电阻。
2)高功率包。
3)4 v驱动。
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| 规格书PDF |
