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SSM6L11TU 复合场效应管 20V/-20V 500mA/-500mA SOT-363/SC70-6/UF6 marking/标记 K8 高速开关

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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage20V/-20V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage12V/12V
最大漏极电流IdDrain Current500mA/-500mA
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance145mΩ@ VGS = 4.0V, ID = 250mA/ 260mΩ@ VGS = -4V, ID = -250mA
开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage0.5~1.1V/-0.5~-1.1V
耗散功率PdPower Dissipation500mW/0.5W
Description & ApplicationsTOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P/N Channel MOS Type High Speed Switching Applications • Optimum for high-density mounting in small packages • Low ON-resistance Q1: RDS(ON) = 395mΩ (max) (@VGS = 1.8 V) Q2: RDS(ON) = 430mΩ (max) (@VGS = -2.5 V)
描述与应用东芝场效应晶体管的硅P/ N沟道MOS类型 高速开关应用 •最适用于高密度安装在小包装 •低导通电阻Q1:RDS(ON)=395mΩ(最大)(@ VGS= 1.8 V) Q2:RDS(ON)=430mΩ(最大)(@ VGS=-2.5 V)
规格书PDF
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