SSM6K203FE N沟道MOSFET 20V 2.8A SOT-563/ES6 marking/标记 KM 高速开关/高输入阻抗/低栅极阈值电压
| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | 10V |
| 最大漏极电流Id Drain Current | 2.8A |
| 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance | 0.061Ω/Ohm @2A,4V |
| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | 0.35-1.0V |
| 耗散功率Pd Power Dissipation | 500mW/0.5W |
| Description & Applications | High-Speed Switching Applications ○ Power Management Switch Applications • 1.5 V drive • Low ON-resistance: Ron = 153 mΩ (max) (@VGS = 1.5V) Ron = 106 mΩ (max) (@VGS = 1.8V) Ron = 76 mΩ (max) (@VGS = 2.5V) Ron = 61 mΩ (max) (@VGS = 4.0V) |
| 描述与应用 | 高速开关应用 ○电源管理开关应用 •1.5 V驱动器 •低导通电阻：罗恩=153MΩ（最大）（@ VGS=1.5V） 罗恩=106MΩ（最大）（@ VGS=1.8V） 罗恩=76MΩ（最大）（@ VGS= 2.5V） 罗恩=61MΩ（最大）（@ VGS=4.0V） |
| 规格书PDF |
