RW1E014SN N 沟道场效应管 30V 1.4A SOT563 代码 PN 低导通电阻、高开关速度
| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage |
30V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage |
±20V |
| 最大漏极电流Id Drain Current |
1.4A |
| 源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State |
ID= 1.4A, VGS= 4V RDS=270~380mΩ |
| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage |
1~2.5v |
| 耗散功率Pd Power dissipation |
0.7W |
| 描述与应用 Description & Applications |
4 v驱动Nch MOSFET
1)低导通电阻、高开关速度。
2)内置g s保护二极管。
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| 规格书PDF |
