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SIB911DK-T1-GE3 复合场效应管 -20V -2.6A SC75-6L marking/标记 DAW 负载开关 功率MOSFET

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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-20V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage-8V
最大漏极电流IdDrain Current-2.6A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance560mΩ@ VGS = -1.8V, ID = -180mA
开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage-0.4~-1V
耗散功率PdPower Dissipation3.1W
Description & ApplicationsDual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 • Trench FET Power MOSFET • New Thermally Enhanced Power PAK SC-70 Package - Small Footprint Area APPLICATIONS • Load Switch, PA Switch and Battery Switch for Portable Devices
描述与应用双P沟道12-V(D-S)的MOSFET 特点  •根据IEC 61249-2-21的无卤素  •沟槽FET功率MOSFET  •新的耐热增强型电源PAK SC-70封装 - 小占位面积 应用  •负荷开关,PA,用于便携式设备的开关和电池开关
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