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HN2C01FE-GR NPN+NPN复合三极管 60V 150mA HEF=200~400 SOT-563/ES6 标记L1G 用于开关/数字电路

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产品描述
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO)
 60V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO)
 50V
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC)
 150MA
截止频率fT
Transtion Frequency(fT)
 60MHZ
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE)
 200~400
管压降VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
 0.1V
耗散功率Pc
Power Dissipation
 0.1W
描述与应用
Description & Applications
 特点 •东芝晶体管的硅NPN外延型(PCT工艺) •小型封装(双类型) •高电压和高电流:VCEO= 50V,IC=150mA(最小值) •高HFE:HFE=120〜400 •优秀的HFE线性:HFE(IC=0.1毫安)/(IC =2毫安)= 0.95(典型值) •音频通用放大器应用
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