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CPH5803 N沟道场效应管+肖特基二极管 SOT153 代码 QD

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产品描述
场效应管类型  N沟道
MOS最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage
 20V
MOS最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage
 10V
MOS最大漏极电流Id
Drain Current
 1.5A
MOS源漏极导通电阻Rds(on)
FET Drain-Source On-State Resistance
  ID=1A, VGS=4V RDS=160mΩ~210mΩ
 ID=0.5A, VGS=2.5V RDS=200mΩ~280mΩ
 ID=0.1A, VGS=1.8V RDS=280mΩ~390mΩ
MOS开启电压Vgs(th)
Gate-Source Threshold Voltage
 
二极管类型  Schottky Barrier Diode
DIODE反向电压Vr
Reverse Voltage
 15V
DIODE平均整流电流Io
Average Rectified Current
 1A
DIODE最大正向压降VF
Forward Voltage(Vf)
 0.4V
耗散功率Pd
Power Dissipation
 0.8W
描述与应用
Description & Applications
  直流/直流转换器的应用程序
  (MOSFET)
  低导通电阻。
  超高速切换。
  1.8 v驱动。
  (肖特基二极管)
  反向恢复时间短。
  低正向电压。
 
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