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SSM6P16FE 复合场效应管 -20V -100mA/-0.1A SOT-563/ES6 marking/标记 DT 高速开关

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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-20V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage10V
最大漏极电流IdDrain Current-100mA/-0.1A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance8Ω@ VGS = -4V, ID = -10mA
开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage-0.6~-1.1V
耗散功率PdPower Dissipation150mW/0.15W
Description & ApplicationsTOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type High Speed Switching Applications Analog Switch Applications • Small package • Low on-resistance : Ron = 8 Ω (max) (@VGS = −4 V) : Ron = 12 Ω (max) (@VGS = −2.5 V) : Ron = 45 Ω (max) (@VGS = −1.5 V)
描述与应用东芝场效应晶体管硅P沟道MOS类型 高速开关应用 模拟开关应用 •小型封装 •低导通电阻:RON= 8Ω(最大)(@ VGS=-4 V) :R0N= 12Ω(最大)(@ VGS= -2.5 V) :R0N上= 45Ω(最大值)(@ VGS=-1.5 V)
规格书PDF
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