BSS123TA SOT23 n沟道增强模式垂直DMOS结构场效应晶体管 100V 170MA
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage |
100v |
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage |
20v |
最大漏极电流Id Drain Current |
170ma |
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State |
5~6Ω |
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage |
0.8v~2.8v |
耗散功率Pd Power dissipation |
0.36W |
描述与应用 Description & Applications |
SOT23 n沟道增强
模式垂直DMOS结构场效应晶体管
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规格书PDF |