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2SJ646 P沟道MOS场效应管 -30V -8A 0.58ohm SOT-252 marking/标记 J646

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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-30V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流IdDrain Current-8A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance0.58Ω @-10A,-4V
开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage-1.2--2.6V
耗散功率PdPower Dissipation1W
Description & Applications
描述与应用
规格书PDF
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