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UP01212GOL NPN+NPN复合三极管 50V 100mA 60 SOT-553 标记9K 用于开关/数字电路

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产品描述
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 去、Q1/Q2 50V/50V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) Q1/Q2 50V/50V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) Q1/Q2 100mA/100MA
Q1基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) 22KΩ
Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) 22KΩ
Q1电阻比(R1/R2) Q1 Resistance Ratio 1
Q2基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) 22KΩ
Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) 22KΩ
Q2电阻比(R1/R2) Q2 Resistance Ratio 1
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)  60
截止频率fT Transtion Frequency(fT) Q1/Q2  150mhz/150MHZ
耗散功率Pc Power Dissipation Q1/Q2  125mw/0.125W
Description & Applications  Features • Silicon NPN epitaxial planar type • Two elements incorporated into one package (transistors with built-in resistor) • Reduction of the mounting area and assembly cost by one half.
描述与应用  特点 •NPN硅外延平面型 •两个要素纳入一个包(内置电阻晶体管) •减少安装面积和汇编一半的费用
规格书PDF
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