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2SD0875GRL NPN三极管 80V 500mA/0.5A 120MHz 130~220 200mV/0.2V SOT-89/SC-62 marking/标记 XR 低频驱动放大

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产品描述
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)80V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)80V
集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)500mA/0.5A
截止频率fTTranstion Frequency(fT)120MHz
直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)130~220
管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage200mV/0.2V
耗散功率PcPower Dissipation1W
Description & ApplicationsSilicon NPN epitaxial planar type For low-frequency driver amplification ■ Features • High collector-emitter voltage (Base open) VCEO • Large collector power dissipation PC • Mini power type package, allowing downsizing of the equipment and automatic insertion through the tape packing and the magazine packing
描述与应用NPN硅外延平面型 低频驱动放大 ■特点 •高集电极 - 发射极电压(基本打开)VCEO •大集电极功耗PC •小型功率型封装,允许精简的设备, 通过自动插入带包装盒包装
规格书PDF
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