我的订单
分享到：
当前位置：首页 > 现货库存 > 商品详情

SI5445DC-T1 P沟道MOS场效应管 -8V 7.1A 0.030ohm Vth:-0.45V 1206-8 marking/标记 BC

热销商品

产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-8V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage8V
最大漏极电流IdDrain Current-7100mA/-0.1A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance0.030Ω @-5.2A,-4.5V
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage-0.45V
耗散功率PdPower Dissipation2.5W
Description & ApplicationsP-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
描述与应用P沟道1.8-V（G-S）的MOSFET
规格书PDF
相关型号列表

备案/许可证号：粤ICP备14038557号 Copyright ©: 2017 爱瑞凯电子商城版权所有 并保留所有权利
客服电话0755-88869068
工作时间:周一至周六 8:00~22:00