CPH6424-TL-E N沟道MOSFET 60V 3A SOT-163/SOT23-6/CPH6 marking/标记 ZA 高密度电池设计极低的RDS（ON）
| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 60V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | 20v |
| 最大漏极电流Id Drain Current | 3A |
| 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance | 0.145Ω/Ohm @1.5A,10V |
| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | 1.2V |
| 耗散功率Pd Power Dissipation | 1.6W |
| Description & Applications | · Low ON resistance. · Ultrahigh-speed switching. · 4V drive. |
| 描述与应用 | •低导通电阻。 •超高速开关。 •2V驱动 |
| 规格书PDF |
