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SI2302CDS-T1-GE3 N沟道MOSFET 20V 2.4A SOT-23/SC-59 marking/标记 N2 低导通电阻/低电压驱动

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产品描述
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage8V
最大漏极电流Id Drain Current2.4A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.115Ω/Ohm @3.1A,2.5V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage0.65-1.2V
耗散功率Pd Power Dissipation900mW/0.9W
Description & ApplicationsN-Channel 1.25-W, 2.5-V MOSFET
描述与应用N沟道1.25-W， 2.5 V MOSFET
规格书PDF
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